李扬扬1,陈 鹏1,2*,蒋府龙1,杨国锋1,刘 斌1,谢自立1,修向前1,韩 平1,赵 红1,华雪梅1,施 毅1,张 荣1,郑有炓1
南京大学学报(自然科学版). 2014, 50(3): 320.
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现。实验中发现在室温,激发光功率为0.5 mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率。另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5 mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜。