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基于1T1R忆阻器交叉阵列与CMOS激活函数的全模拟神经网络
赵航, 杨董行健, 王聪, 梁世军, 缪峰
南京大学学报(自然科学版), 2025, 61(5): 867-878.   DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2025.05.015

电路功耗 (W)面积(mm2
Tanh1.08×10-38.86×10-4
ReLU8.68×10-48.86×10-4
Sigmoid2.07×10-31.77×10-3
Softmax1.22×10-41.12×10-4
ADC_1[25]6×10-32.28×100
ADC_2[26]3×10-11.2×10-1
ADC_3[27]1.2×10-21.3×10-1
ADC_4[28]3.2×10-13.0×10-1
ADC_5[29]2.1×10-31.8×10-1
ADC_6[29]3.2×10-31.8×10-1
表1 模拟CMOS激活函数电路与65 nm工艺节点的高速ADC的功耗和面积对比
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