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基于1T1R忆阻器交叉阵列与CMOS激活函数的全模拟神经网络
赵航, 杨董行健, 王聪, 梁世军, 缪峰
南京大学学报(自然科学版), 2025, 61(5): 867-878.   DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2025.05.015

图3 (a) 1T1R单元在不同栅极电压下的切换曲线; (b) 1T1R单元在不同栅极电压下调节后的电导
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