宽带低附加相移可变增益放大器
|
|
肖慧华, 马凯学, 傅海鹏, 陆敏
|
A wideband low additional phase shift variable gain amplifier
|
|
Huihua Xiao, Kaixue Ma, Haipeng Fu, Min Lu
|
|
表2 相似频段VGA性能对比
|
Table 2 Performance comparison with VGAs in similar frequency bands
|
|
| 参数 | 本文* | Shin et al[11] | Chen et al[12] | Liang et al[18] | Sayginer and Rebeiz[19] |
|---|
| 工作频带(GHz) | 3.5~11 | 1.6~12.1 | 2.2~13.6 | 0.8~11 | 2~16 | | 增益范围 | -20~12 | -18~20 | -20~18 | 14~20 | -5~3 | | 增益控制方式(位数) | 数字（6位） | 模拟 | 模拟 | 模拟 | 数字（3位） | | 增益步进(dB) | 0.5 | - | - | - | 2 | | 最大增益误差(dB) | ±0.5 | - | - | - | 0.5 | | OP1 dB (dBm) | 12 | <-2 | -3.3 | 5 | 0 | 是否优化附加相移 (最大附加相移) | 是（±5°） | 否 | 否 | 否 | 是（3.5°） | | 噪声系数(dB) | 7 | 6.5 | 4.9~6.3 | 2.4 | - | | 直流功耗(mW) | 155 | 40 | 25 | 94 | 27.5 | | 效率 | 10.6% | <1.6% | 1.9% | 3.45 | 3.65 | | 面积(mm2) | 0.96 | 1.43 | 0.58 | - | - | | 工艺 | 0.13 μm BiCMOS | 0.35 μm BiCMOS | 0.18 μm CMOS | 0.15 μm InGaAs pHEMT | 0.13 μm BiCMOS |
|
|
|