全介质硅基微腔结构的模拟与实验研究

王朝晔,侯国智,李伟,徐骏,陈坤基

Simulation and experimental study of all⁃dielectric silicon⁃based microcavity structure

Zhaoye Wang,Guozhi Hou,Wei Li,Jun Xu,Kunji Chen

图5 (a)假设氮氧化硅材料消光系数(k_L)为0时，改变氮化硅的消光系数(k_H)为 $2 \times 10^{- 2}, 10^{- 2}$ 和 $10^{- 3}$ ，得到的模拟透射谱；(b)假设氮化硅材料消光系数(k_H)为0时，改变氮氧化硅的消光系数(k_L)为 $2 \times 10^{- 2}$ ， $10^{- 2}$ 和 $10^{- 3}$ ，得到的模拟透射谱
(b) when k_H is 0, the simulated transmission spectrum with different k_L of

2 \times 10^{- 2}

10^{- 2} ?

and

10^{- 3}

Fig.5 (a) When k_L is 0,the simulated transmission spectrum with different k_H of $2 \times 10^{- 2}$ , $10^{- 2} ?$ and $10^{- 3}$ ，