南京大学学报(自然科学版) ›› 2017, Vol. 53 ›› Issue (3): 421.
张 培1,任林娇1,葛兆云2,杨 倩1,齐汝宾1,刘 帅1,陈青华1,闫艳霞1,方 洁1,姜利英1*
Zhang Pei1,Ren Linjiao1,Ge Zhaoyun2,Yang Qian1,Qi Rubin1,Liu Shuai1,Chen Qinghua1,Yan Yanxia1,Fang Jie1,Jiang Liying1*
摘要: 分别采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术和金属辅助化学蚀刻的方法制备了纳米硅/二氧化硅(ncSi/SiO2)多层膜和多孔硅纳米线(Si NW)两种含氧的硅基材料.借助透射电子显微镜和扫描电子显微镜对样品的微结构进行表征,在此基础上,利用稳态和时间分辨荧光光谱仪对两种材料的荧光特性进行测量.实验结果表明ncSi的尺寸越小,多孔Si NW内的孔洞越多,样品的发光越强,但是发光峰不发生移动.在波长为355 nm,脉宽为6 ns的激光激发下,两种材料都具有微秒(μs)的荧光寿命,对应于载流子从与氧相关的局域态发生辐射复合的过程.将光致发光(PL)强度的增强以及荧光寿命的增大归因于样品内辐射复合中心的增多.同时,在波长为375 nm,脉宽为75 ps的激光激发下,两种样品在纳秒(ns)范围内均没有检测到荧光衰减信号.
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